Especificaciones Atributo Valor Tipo de Canal N Corriente Máxima Continua de Drenaje 28 A Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V Resistencia Máxima Drenador-Fuente 130 mO Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V Tipo de Encapsulado TO-247 Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante Configuración de transistor Simple Conteo de Pines 3 Modo de Canal Mejora Disipación de Potencia Máxima 278 W Tiempo de Retardo de Encendido Típico 25 ns Materialdel transistor Si Ancho 4.82mm Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C Serie SuperFET II Altura 20.82mm Tiempo de Retardo de Apagado Típico 65 ns Capacitancia de Entrada Típica @Vds 2700 pF a 380 V Número de Elementos por Chip 1 Dimensiones 15.87 x 4.82 x 20.82mm Longitud 15.87mm Carga Típica de Puerta @ Vgs 54 nC a 10 V Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C