Categoría de producto: MOSFET Detalles Id: corriente de drenaje continuo: 11 A Vds (Tensión separación drenador-fuente):600 V Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 380 mOhms Polaridad de transistor: N-Channel Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):3 V Qg (carga de compuertas): 45 nC Temperatura operativa máxima: + 150 C Pd (disipación de potencia): 125 W Estilo de montaje: Through Hole Empaquetado / Estuche: TO-220-3 Empaquetado: Tube Marca: Infineon Technologies Tiempo de caída: 5 ns Transconductancia delantera: mín.: 8.3 S Temperatura operativa mínima: - 55 C Tiempo de establecimiento: 5 ns Serie: SPP11N60 Cantidad del paquete de fábrica: 500